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為什么碳化硅Cascode JFET可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過渡?

  • 簡(jiǎn)介電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅,碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)(圖1),這使其在電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心,以及直流快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角,成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。特性Si4H-SiCGaN禁帶能量(eV)1.123.263.50電子遷移率(cm2/Vs)14009001250空穴遷移率(cm2/Vs)600100200
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速看!SiC JFET并聯(lián)設(shè)計(jì)白皮書完整版

  • 隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能,能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。在第一篇文章(SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘,這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”!http://m.ptau.cn/article/202503/467642.htm)和第二篇文章(SiC JFET并聯(lián)的五大難題,破解方法終于來了!http://m.ptau.cn/article/202503/467644.htm)中我們重點(diǎn)介紹了SiC JFET并聯(lián)設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn),本文將介紹演示和測(cè)試結(jié)果。演
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SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘,這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”!

  • 隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能,能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC?JFET將越來越重要。我們將詳細(xì)介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET,內(nèi)容包括Cascode(共源共柵)關(guān)鍵參數(shù)和并聯(lián)振蕩的分析,以及設(shè)計(jì)指南。本文為第一篇,聚焦Cascode產(chǎn)品介紹、Cascode背景知識(shí)和并聯(lián)設(shè)計(jì)。簡(jiǎn)介大電流操作通常需要直接并聯(lián)功率半導(dǎo)體器件。出于成本或布局的考慮,并聯(lián)分立器件通常是優(yōu)選方案。另一種替代方案是使用功率模塊,但這些模塊實(shí)際上也是通過并聯(lián)芯片實(shí)現(xiàn)的。本文總結(jié)了適用于所
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從硅到碳化硅過渡,碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者?

  • 電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅,碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)(圖1),這使其在電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心,以及直流快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角,成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。圖1:硅器件(Si)與碳化硅(SiC)器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術(shù)?眾多終端產(chǎn)品制造商已選擇碳化硅技術(shù)替代傳統(tǒng)硅技術(shù),基于雙極結(jié)型晶體管(B
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安森美將收購碳化硅JFET技術(shù),以增強(qiáng)其針對(duì)AI數(shù)據(jù)中心的電源產(chǎn)品組合

  • 安森美(onsemi)宣布已與Qorvo達(dá)成協(xié)議,以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補(bǔ)足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合,使其能應(yīng)對(duì)人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對(duì)高能效和高功率密度的需求,還將加速安森美在電動(dòng)汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB) 等新興市場(chǎng)的部署。SiC JFET的單位面積導(dǎo)通電阻超低,低于任何其他技術(shù)的一半。它們還支持使用硅基晶體管幾十年來常用的現(xiàn)成驅(qū)動(dòng)器。綜合這
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安森美收購Qorvo旗下SiC JFET技術(shù)

  • 據(jù)安森美官微消息,近日,安森美(onsemi)宣布已與Qorvo達(dá)成協(xié)議,以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司 United Silicon Carbide。該交易需滿足慣例成交條件,預(yù)計(jì)將于2025年第一季度完成。據(jù)悉,該收購將補(bǔ)足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合,使其能應(yīng)對(duì)人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對(duì)高能效和高功率密度的需求,還將加速安森美在電動(dòng)汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB)等新興市場(chǎng)的部署。安森美電源方案事業(yè)群總裁兼總經(jīng)理
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很基礎(chǔ)的MOS管知識(shí)

  • 半導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子,所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管,這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電,所以也稱為單極型三極管,因?yàn)檫@種管子是利用電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的,所以也叫場(chǎng)效應(yīng)三極管(FET),簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。場(chǎng)效應(yīng)管可以分成兩大類,一類是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET),另一類是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。在如果你在某寶里搜索“場(chǎng)效應(yīng)管”你會(huì)發(fā)現(xiàn),搜索出來的基本上是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。即使搜索“結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管”,出來的也只有幾種,你是不是懷疑結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管已經(jīng)被人類拋棄了的感覺,沒錯(cuò),JFE
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還分不清結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管與絕緣柵?看這一文就夠了,圖表展現(xiàn)

  • JFET 與 MOSFET的區(qū)別JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于,通過 JFET 的電流通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場(chǎng)引導(dǎo),而在 MOSFET 中,導(dǎo)電性是由于嵌入在半導(dǎo)體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場(chǎng)。JFET 與 MOSFET的區(qū)別兩者之間的下一個(gè)關(guān)鍵區(qū)別是,JFET 允許的輸入阻抗比 MOSFET 小,因?yàn)楹笳咔度肓私^緣體,因此漏電流更少。JFET?通常被稱為“ON 器件”是一種耗盡型工具,具有低漏極電阻,而?MOSFET?通常被稱為“OFF 器件”,
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結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管極性判斷方法,幫你搞定jfet極性判斷

  • 今天給大家講講結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管極性判斷方法。用萬用表來判斷JFET極性相對(duì)來說比較簡(jiǎn)單,因?yàn)橹挥幸粋€(gè)PN結(jié)要測(cè):要么在柵極和源極之間測(cè)量,要么在柵極和漏極之間測(cè)量。1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管極性判斷方法--引腳識(shí)別JFET的柵極對(duì)應(yīng)晶體管的基極,源極對(duì)應(yīng)晶體管的發(fā)射極,漏極對(duì)應(yīng)晶體管的集電極。在這之前講過關(guān)于三極管測(cè)好壞的方法,極性的判斷??梢渣c(diǎn)擊標(biāo)題直接跳轉(zhuǎn)。三極管的測(cè)量方法和管腳辨別方法,一文總結(jié),幾分鐘教你學(xué)會(huì)將萬用表設(shè)置為“R×1k”,用兩根表筆測(cè)量 每?jī)蓚€(gè)引腳之間的正反向電阻。當(dāng)兩個(gè)引腳的正反向電阻均為幾千歐
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晶體管分類有哪些?收藏這一張圖就夠了!

  • 本文來自公眾號(hào):8號(hào)線攻城獅,主要介紹了晶體管分類,并以NPN BJT為例,分析了晶體管的參數(shù)和特性。
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如何成為硬件高手

  •   摘要:駕駛著進(jìn)取號(hào)電子飛船,從發(fā)射區(qū)進(jìn)入充滿黑洞的基區(qū),一些同伴被黑洞束縛,一些擄去另一世界,你幸運(yùn)地躲過一劫飛到集電結(jié),受到強(qiáng)大的吸力快速渡越出集電區(qū),漫游在低阻導(dǎo)線上,松了一口氣。然而前路不如你所愿地一帆風(fēng)順,阻力重重的負(fù)載中到處碰壁……  古人學(xué)問無遺力,少壯工夫老始成。若問硬件速成法,猶似浮沙立大廈。千萬別認(rèn)為看后就能成為高手,當(dāng)然筆者亦非高手,水滴石穿又豈是朝夕之功!謹(jǐn)以過往經(jīng)歷和拙見與在校學(xué)生朋友和剛工作的工程師分享共勉?! ±碚搶W(xué)習(xí)  沒有滿腹經(jīng)綸,何能出口成章。但覺得書海茫茫,不知從何
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結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)的基礎(chǔ)知識(shí)

  •   結(jié)構(gòu)與符號(hào):  ? ?  在N區(qū)兩側(cè)擴(kuò)散兩個(gè)P+區(qū),形成兩個(gè)PN結(jié)。兩個(gè)P+區(qū)相連,引出柵極g。N體的上下兩端分別引出漏極d和源極s?! ?dǎo)電原理:  ? ?  (1)VGS=0時(shí),N型棒體導(dǎo)電溝道最寬(N型區(qū))。有了VDS后,溝道中的電流最大?! ?2)VGS<0時(shí),耗盡層加寬(主要向溝道一測(cè)加寬),并向溝道中間延伸,溝道變窄?! ‘?dāng)VGS
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CMOS放大器和JFET放大器的輸入偏置電流

  •   由于具有較低的偏置電流,人們經(jīng)常選用CMOS和JFET運(yùn)算放大器。然而你應(yīng)該意識(shí)到,這個(gè)事實(shí)還與很多其它的原因相關(guān)?! MOS晶體管的柵極 (CMOS運(yùn)算放大器的輸入端)有極低的輸入電流。必須設(shè)計(jì)附加的電路來對(duì)脆弱的柵極進(jìn)行ESD和EOS保護(hù)。這些附加的電路是輸入偏置電流的主要來源。這些保護(hù)電路一般都通過在電源軌之間接入鉗位二極管來實(shí)現(xiàn)。圖1a中的OPA320就是一個(gè)例子。這些二極管會(huì)存在大約幾皮安的漏電流。當(dāng)輸入電壓大約達(dá)到電源軌中間值的時(shí)候,漏電流匹配的相當(dāng)好,僅僅會(huì)存在小于1皮安的殘余誤差電流
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場(chǎng)效應(yīng)管工作原理- -場(chǎng)效應(yīng)管工作原理也瘋狂

  • 一、場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理- -概念   場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(field-effect transistor)的簡(jiǎn)稱,由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電,也稱為單極性場(chǎng)效應(yīng)管,是一種常見的利用輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種電壓控制性半導(dǎo)體器件,場(chǎng)效應(yīng)管不但具有雙極性晶體管體積小、重量輕、壽命長等優(yōu)點(diǎn),而且輸入回路的內(nèi)阻高達(dá)107~1012Ω,噪聲低,熱穩(wěn)定性好,抗輻射能力強(qiáng),且比后者耗電省,這些優(yōu)點(diǎn)使之從20世紀(jì)60年代誕生起就廣泛地應(yīng)用于各種電子電路之中。 二、
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導(dǎo)入Cascode結(jié)構(gòu) GaN FET打造高效率開關(guān)

  • 為提高高壓電源系統(tǒng)能源效率,半導(dǎo)體業(yè)者無不積極研發(fā)經(jīng)濟(jì)型高性能功率場(chǎng)效應(yīng)電晶體(FET);其中,采用Cascode結(jié)構(gòu)的...
  • 關(guān)鍵字: Cascode  GaN  場(chǎng)效應(yīng)管  
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